productos

fabricantes

Sobre nosotros

noticias

Cuadros de trabajo

Asociarse con nosotros

spanish

En casa > productos > Productos de semiconductor discretos >

MRFE6S9060NR1

MRFE6S9060NR1

fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

FET RF 66V 880MHZ TO270-2

Paquete de dispositivos del proveedor:

TO-270-2

Descargar

RFC rápida

En stock:

Por favor, envíe una RFQ, responderemos inmediatamente. (*es obligatorio)

Detalles del producto

El Sr. Parte #:

MRFE6S9060NR1

Las existencias:

1968

Categoría de productos:

Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Actual - prueba:

450 mA

Frecuencia:

880 MHz

Ganancias:

21.1 dB

Envase / estuche:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Potencia - Producción:

14W

Estado del producto:

Actividad

Tipo de transistor:

ldmos

Voltado nominal:

66 V

Voltaje - prueba:

El número de unidades

Descripción del producto

MRFE6S9060NR1 PRODUCTOS RELACIONADOS

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

¿Qué es lo que está pasando?Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 78 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto creepage se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un costo más optimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministros de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.

Más información

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 53 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto creepage se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.

Más información

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 40 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.

Más información

El número de unidades de seguridad es el siguiente:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 34 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un costo más optimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.

Más información

El número de unidades de seguridad es el siguiente:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 26 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.

Más información

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 22 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.

Más información

El número de unidades de seguridad es el siguiente:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 17 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto creepage se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un costo más optimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministros de energía ininterrumpidos en línea (UPS).- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.

Más información

El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos Aplicaciones típicas - Dispositivos de propósito general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos. - Fuentes de alimentación ininterrumpidas en línea (UPS). - Optimizadores de energía solar. - Los inversores de cuerda. - Sistemas de almacenamiento de energía (ESS). - Equipo de soldadura. El IMZC120R012M2H es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de 1200 V y 12 mΩ de Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.

Más información

El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la emisión de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.Hoja de datos Aplicaciones típicas - Muy bajas pérdidas de conmutación. - Operación de sobrecarga hasta TVj= 200 °C. - Tiempo de resistencia al cortocircuito de 2 μs. - Diodo de cuerpo robusto para la conmutación dura. - Tecnología de interconexión XT para un mejor rendimiento térmico. El IMZC120R012M2H es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de 1200 V y 12 mΩ de Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.

Más información

AIMCQ120R160M1T: el objetivo de las pruebas de seguridad

AIMCQ120R160M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.

Más información

AIMCQ120R120M1T: el objetivo de las pruebas de seguridad

AIMCQ120R120M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.

Más información

El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II.

AIMCQ120R080M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.

Más información

AIMCQ120R060M1T: el objetivo de las pruebas de seguridad

AIMCQ120R060M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.

Más información

El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II.

AIMCQ120R040M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.

Más información

El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II.

AIMCQ120R030M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.

Más información

El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II.

AIMCQ120R020M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.

Más información

El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo I.

El objetivo de las pruebas de detección es el seguimiento de los resultados de las pruebas de detección.Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.

Más información

CMPDM7002AG TR PB GRATUITO

CMPDM7002AG TR PB GRATUITOHoja de datos

Más información

DMP2123LQ-7

Más información

DMP2035UVT-7

Más información

DMN61D8L-7

Más información