Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.Hoja de datos
- Muy bajas pérdidas de conmutación.
- Operación de sobrecarga hasta TVj= 200 °C.
- Tiempo de resistencia al cortocircuito de 2 μs.
- Diodo de cuerpo robusto para la conmutación dura.
- Tecnología de interconexión XT para un mejor rendimiento térmico.
El IMZC120R012M2H es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de 1200 V y 12 mΩ de Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.