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2SK879-Y ((TE85L,F)

calidad [#varpname#] fábrica

2SK879-Y ((TE85L,F)

fabricante:

Toshiba Electronic Devices y Corporación de Almacenamiento

Descripción:

JFET N-CH 0.1W USM

Paquete de dispositivos del proveedor:

USM

RFC rápida

En stock:

Por favor, envíe una RFQ, responderemos inmediatamente. (*es obligatorio)

Detalles del producto

El Sr. Parte #:

2SK879-Y ((TE85L,F)

Las existencias:

33878

Categoría de productos:

Transistores - JFET

Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):

1.2 mA @ 10 V

Tipo de FET:

N-canal

Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:

8.2pF @ 10V

Tipo de montaje:

Montura de la superficie

Temperatura de funcionamiento:

125°C (TJ)

Envase / estuche:

SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.

Potencia - máximo:

100 mW

Estado del producto:

Actividad

Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:

Se aplicarán las siguientes medidas:

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